Как определить динамические потери в полупроводниковых ключах в среде MATLAB/SIMULINK.
13.02.2020
Как можно определить динамические потери в полупроводниковых ключах (на транзисторах или тиристорах) в среде MATLAB/SIMULINK?
Есть модель (моделирован в simulink-е): однофазный АИН с использованием IGBT транзисторов. Как можно учесть динамические потери в модели?
Для определения динамических потерь на IGBT транзисторов, какие дополнительные блоки надо соеденить в модели?
Спасибо за помощь.
Ответы
Никак. Их там попросту нет. Все ключи переключаются мгновенно, что исключает динамические потери.
В новых версиях матлаба даже убрали параметры, с помощью которым можно было регулировать скорость отпирания запирания.
Спасибо.
Динамические потери уже учитываются в моделях, если только в их названии нет слова "Ideal". Вот скриншот справки, объясняющей модель переключения IGBT из вашей модели (MATLAB R2019b):
Однако же библиотека, которую вы используете (Specialized Power Systems) не предназначена для сверхточных расчетов потерь, и если вас интересуют именно они, то рекомендую использовать библиотеку Simscape Electrical, раз уж вы используете релиз 19 года.
В этих моделях учитывается много разных параметров полупроводников, и есть несколько видов параметризации. Параметризация посложнее:
... и параметризация попроще:
Здесь справка по IGBT для примера: https://docs.exponenta.ru/physmod/sps/ref/nchanneligbt.html
В help есть готовая модель для оценки потерь в igbt преобразователе, можно найти по словам igbt losses. Там показано как используя уточнённую модель транзистора считать потери.
Спасибо за ответ. Буду моделировать используя библиотеку Simscape Electrical.
Спасибо за ответ.
Добрый день. Моделировал однофазный инвертор используя библиотеку Simscape Electrical.
Как здесь можно учесть динамические потеры на IGBT транзисторах? Какие блоки надо использовать чтобы количественно показал дин. потеры?
Еще и статические потеры?
загружаю модель (Matlab-2019)